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保護器件過電應(yīng)力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
半導體元器件在整機應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當半導體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過電應(yīng)力導致的失效相對其它應(yīng)力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應(yīng)力失效
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基于模型的GAN PA設(shè)計基礎(chǔ)知識：GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
在簡單的線性射頻/微波放大器設(shè)計中，一般利用s參數(shù)匹配使增益和增益平坦度最大。同樣也會利用這些 S 參數(shù)數(shù)據(jù)來開發(fā)匹配網(wǎng)絡(luò)，以解決放大器穩(wěn)定性問題。本文討論在設(shè)計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 過程中，使用模型模擬基本的 S 參數(shù)和穩(wěn)定性分析的重要性。文中介紹使用模型和電阻穩(wěn)定性技術(shù)來幫...
2021-11-16
GAN晶體管 S參數(shù) 電阻穩(wěn)定性
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分析無芯變壓器柵極驅(qū)動器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離，這對SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應(yīng)用中，包括太陽能逆變器，所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
無芯變壓器 柵極驅(qū)動器
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適用于工業(yè)應(yīng)用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現(xiàn)了 100 層以上的技術(shù)，并且在短期內(nèi)似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
工業(yè)應(yīng)用 NAND 閃存
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運算放大器輸出電壓反向問題：正確選型，輕松化解！
當運算放大器的其中一個內(nèi)部級不再具有足夠的偏置電壓并因此關(guān)閉時，通常會出現(xiàn)這種情況。這將導致輸出電壓擺幅到相反的供電軌上，直至輸入返回到共模范圍，如下所示（在電壓跟隨器中）。請注意，輸入仍可位于電源電壓軌中，但只能高于或低于某個指定共模限值。
2021-11-12
運算放大器 電壓反向
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在選擇SoC和專用音頻DSP時，這些問題你應(yīng)該考慮到！
低延時、實時聲學處理是許多嵌入式處理應(yīng)用的關(guān)鍵因素，其中包括語音預處理、語音識別和主動降噪(ANC)。隨著這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崟r性能的要求穩(wěn)步提高，開發(fā)人員需要以戰(zhàn)略思維來妥善應(yīng)對這些要求。
2021-11-12
SoC 專用音頻DSP
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如何最大限度減小電源設(shè)計中輸出電容的數(shù)量和尺寸？
電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容，它們耗費資金，占用空間，而且，在遇到交付瓶頸的時候還會難以獲得。所以，如何最大限度減小輸出電容的數(shù)量和尺寸，這個問題反復被提及。
2021-11-12
電源設(shè)計 輸出電容
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二極管串聯(lián)不均壓因素分析
二極管串聯(lián)不均壓主要原因來自自身和外部兩類。自身原因主要由加工工藝造成的，外因主要是由外部電路造成的。同一批次生產(chǎn)出來二極管的伏安特性不一致，造成二極管的靜態(tài)不均壓；反向恢復時間及開通狀態(tài)的不一致造成二極管的動態(tài)不均壓目。外部電路設(shè)計會造成雜散電感和電容，在高壓高頻環(huán)境中會造...
2021-11-11
二極管 串聯(lián)
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可視化的片上網(wǎng)絡(luò)（NoC）性能分析
Achronix 最新基于臺積電（TSMC）的7nm FinFET工藝的Speedster7t FPGA器件包含了革命性的新型二維片上網(wǎng)絡(luò)（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可編程邏輯結(jié)構(gòu)上運行的高速公路網(wǎng)絡(luò)一樣，為FPGA外部高速接口和內(nèi)部可編程邏輯的數(shù)據(jù)傳輸提供了超高帶寬。
2021-11-11
片上網(wǎng)絡(luò) NoC
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