你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

SiB437EDKT:Vishay推出微型低導通電阻功率MOSFET用于便攜設備

發(fā)布時間:2011-08-18 來源:Vishay Intertechnology, Inc.

產(chǎn)品特性:

  • 占位面積小、超薄
  • 低導通電阻、低傳導損耗

應用范圍:

  • 手機、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機、電子書和平板電腦等


日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET--SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。

新款SiB437EDKT可用做智能手機、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機、電子書和平板電腦等手持設備中的負載開關。器件的熱增強Thin PowerPAK® SC-75封裝占位面積小,超薄的高度只有0.65mm,能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品,而低導通電阻意味著更低的傳導損耗,節(jié)約能源,并在這些設備中最大化電池的運行時間。

MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導通,能夠搭配手持設備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓,從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。在手持設備中電池電量較低,并且要求消耗盡可能少的能量時,這種MOSFET尤其有用。

SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34m?、63m?、84m?和180m?的超低導通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導通電阻為37m?、65m?和100m?,這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。

SiB437EDKT經(jīng)過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護為2000V。

新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

要采購相機么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉