下面首先對(duì)案例進(jìn)行說(shuō)明,當(dāng)改變UC3843的RT電阻時(shí),相應(yīng)的輸出方波的占空比一定會(huì)改變,那么負(fù)載上的輸出電壓Vo也會(huì)改變。但經(jīng)過(guò)計(jì)算,Vo與輸入電壓12V之比并不等于選定RT后對(duì)應(yīng)的占空比,這便出現(xiàn)了問(wèn)題。
從上面的問(wèn)題來(lái)看,是否是電壓反饋的問(wèn)題呢?通過(guò)試著將兩個(gè)用于電壓反饋的大電阻(50K,20K)進(jìn)行不同阻值的配對(duì),但是無(wú)論怎么改,負(fù)載輸出電壓并沒(méi)有明顯變化(不超過(guò)0.5V)。
總的來(lái)看,這個(gè)例子中的出現(xiàn)的問(wèn)題就是在buck電路中的UC3843的RT電阻阻值對(duì)應(yīng)的占空比D,與“負(fù)載輸出電壓Vo與輸入電壓12V之比”之間的關(guān)系并不明確。通過(guò)下面的一些圖例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明問(wèn)題。
對(duì)案例中的問(wèn)題有了大致的了解之后,接下來(lái)就可以進(jìn)行問(wèn)題的分析了。首先在使用3843時(shí)沒(méi)有看到經(jīng)過(guò)升壓或者電平轉(zhuǎn)換直接推高端NMOS的經(jīng)過(guò),有可能MOS管不能完全工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),而可能工作在放大區(qū),此時(shí)MOS管的損耗巨大。建議將IRF150換成一個(gè)PMOS,然后3843通過(guò)控制PMOS來(lái)實(shí)現(xiàn)NMOS開(kāi)關(guān)。
之所以為大家介紹這種解決方法,是因?yàn)槟壳按蠖鄶?shù)的內(nèi)置內(nèi)置MOS管的BUCK芯片均采用這種思路,電路中包含自舉電路將驅(qū)動(dòng)升壓。滿足MOS管的Vgs大于10V以上時(shí),如果MOS的損耗還是很大,那么就意味著可能是芯片的驅(qū)動(dòng)能力出現(xiàn)問(wèn)題。想要驗(yàn)證最大占空比是否受到限制,則可以增大輸入電壓,減小輸出電壓,再看輸出電壓是否正確。使用3843直接控制P-MOS效果同樣,只是邏輯上相反
結(jié)語(yǔ)
本篇文章針對(duì)buck電路當(dāng)中輸入電壓、輸出電壓、占空比之間出現(xiàn)的一種問(wèn)題進(jìn)行分析,并給出了相應(yīng)的解決方法。希望大家在看過(guò)本篇文章之后能夠有所收獲,解決出現(xiàn)在自己電路中同樣的問(wèn)題。
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