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ZXMS6004FF：Diodes自保護(hù)式MOSFET
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
2008-12-31
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MT9V136：Aptina高感光度圖像傳感器
美光科技（Micron Technology）網(wǎng)站消息，Aptina公司日前發(fā)布了型號為MT9V136的高感光度圖像傳感器解決方案。這款傳感器采用更完善的全集成式（all-in-one）單芯片系統(tǒng)芯片(SOC)設(shè)計(jì)，能提供出色的低照度性能，超出人們對CCD傳感器的預(yù)期需求，而且在夜視環(huán)境下還具有優(yōu)異的近紅外(NIR)響應(yīng)性能。
2008-12-26
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愛普科斯與New Scale合作開發(fā)微型直線電機(jī)
電子元件及模塊和系統(tǒng)生產(chǎn)商愛普科斯公司與超小型運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)制造商N(yùn)ewScaleTechnologies,Inc.(以下簡稱NewScale)達(dá)成了一項(xiàng)科技合作協(xié)議，旨在開發(fā)獨(dú)創(chuàng)性超聲波電機(jī)。此次合作結(jié)合了NewScale在開發(fā)微型壓電式電機(jī)方面的先進(jìn)技術(shù)與愛普科斯在生產(chǎn)多層壓電元件的能力
2008-12-24
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
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IRFBxxxxPBF：IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。
2008-12-19
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IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。
2008-12-18
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Zinc Air Prismatic：勁量最新推出高性能電池
近日，電池廠商Energizer(勁量)宣布將在明年的International CES上發(fā)布一款高能量電池- Zinc Air Prismatic.這種電池主要用于移動(dòng)數(shù)碼娛樂設(shè)備，并可以由廠商自主定義電池尺寸以減小設(shè)備體積，能量方面，Zinc Air Prismatic的能量密度是相同大小常規(guī)堿性或鋰離子電池的3倍，可以說是電池行業(yè)的一次進(jìn)步。
2008-12-17
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Tronics成立子公司TronicsMEMS 就近服務(wù)美國市場
據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，法國MEMS元器件供應(yīng)商Tronics Microsystems SA日前宣布在美國德州Richardson成立了子公司Tronics MEMS，為美國MEMS客戶提供原型器件、認(rèn)證及量產(chǎn)服務(wù)。
2008-12-17
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惠普等開發(fā)出柔性電子紙
美國惠普和美國亞利桑那大學(xué)（Arizona State University，亞歷桑那州立大學(xué)）正式宣布，開發(fā)出了掉在地上也不會(huì)損壞的柔性電子紙。該電子紙為有源矩陣型，不過沒有公開尺寸和分辨率等。
2008-12-16
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英特爾開發(fā)出突破性硅基APD
英特爾(Intel)周日宣布，他們在通往光計(jì)算機(jī)的道路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱，公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管（APD）的性能世界紀(jì)錄，頻率高達(dá)340GHz。
2008-12-11
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NEC東金將開始量產(chǎn)透磁率為100的無鹵防噪音薄膜
NEC東金開發(fā)出提高了噪音抑制效果的無鹵防噪音薄膜“Busteraid EFX”，將于2008年12月開始量產(chǎn)。該薄膜為將其貼于噪音源頭及傳播路徑處即可抑制噪音的薄膜狀部件，共備有厚度在50μm～1mm之間的6種產(chǎn)品。具有產(chǎn)生的反射波等副作用小、信號波形幾乎不變等優(yōu)點(diǎn)。面向手機(jī)、筆記本電腦以及數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品。
2008-12-10
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混亂的FPD市場促進(jìn)企業(yè)推陳出新
“2008年第二季度各公司紛紛增產(chǎn)大尺寸液晶面板，結(jié)果導(dǎo)致第四季度不得不大幅減產(chǎn)。09年仍將持續(xù)這一狀況，面板供應(yīng)鏈的情況正在發(fā)生巨大變化。在這種混亂的狀況下，通過變更生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)推陳出新的企業(yè)才能夠生存”。日本Techno System Research的林秀介在該公司主辦的“第三屆TSR研討會(huì)”上如是說。
2008-12-09
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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