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是德科技掀起新革命：通用示波器正式邁入14bit ADC時代
示波器作為電子工程師的“眼睛”，選擇性能更佳的示波器，能有效幫助工程師直接在儀器上進(jìn)行測量分析，進(jìn)而將設(shè)計驗證周期縮短數(shù)周。傳統(tǒng)上，我們會關(guān)注示波器的帶寬、采樣率、存儲深度和觸發(fā)功能四個常規(guī)指標(biāo)。但性能更好，成本也會更高，所以更多時候，工程師都是在性能和成本之間做平衡。
2024-09-22
是德科技 示波器 ADC
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DigiKey與 Lippincott 合作品牌煥新項目榮獲2025年度 Graphis 設(shè)計大賽金獎
品牌機構(gòu) Lippincott 為 DigiKey 進(jìn)行的品牌煥新項目，在 2025 年度 Graphis 設(shè)計大獎全球設(shè)計競賽中榮獲金獎。
2024-09-21
DigiKey Lippincott 品牌煥新項目
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貿(mào)澤電子、Silicon Labs和Arduino聯(lián)手贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽比賽現(xiàn)已開放報名
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將與Silicon Labs和Arduino合作贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽。本次大賽不設(shè)技能門檻，任何技能水平的參賽者均可利用貿(mào)澤提供的Arduino Nano Matter開發(fā)板創(chuàng)建自己獨樹一幟的項目，為Silicon Labs社區(qū)以及其他社區(qū)提供設(shè)...
2024-09-21
貿(mào)澤電子 Silicon Labs Arduino Matter挑戰(zhàn)賽
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科技的洪荒之力：可穿戴設(shè)備中的MEMS傳感器 助運動員爭金奪銀
在當(dāng)今全球?qū)w育運動的關(guān)注中，MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器等技術(shù)創(chuàng)新幾乎無處不在。嵌入智能手表和健身追蹤器等可穿戴設(shè)備中的MEMS傳感器，能夠有效監(jiān)測并提升運動成績。從日常訓(xùn)練到大型體育賽事，這些小巧但功能強大的傳感器可用于監(jiān)控進(jìn)度并接收實時反饋。
2024-09-18
意法半導(dǎo)體 可穿戴設(shè)備 MEMS傳感器
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艾邁斯歐司朗亮相2024 CIOE，多款創(chuàng)新產(chǎn)品引領(lǐng)光電新潮
全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，將攜傳感、光源和可視化領(lǐng)域最新產(chǎn)品和技術(shù)組合，亮相第二十五屆中國國際光電博覽會（CIOE）。作為新質(zhì)生產(chǎn)力的代表，光電技術(shù)正高效賦能千百行業(yè)，不僅重塑傳統(tǒng)制造業(yè)，推動智能制造與工業(yè)自動化邁向新高度，更...
2024-09-12
艾邁斯歐司朗 光電
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半導(dǎo)體后端工藝 第十一篇（完結(jié)篇）：半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)
本系列文章詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導(dǎo)體封裝、封裝工藝及材料等各個方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹針對半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機械可靠性等評估...
2024-09-12
半導(dǎo)體 后端工藝 封裝
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為什么存儲系統(tǒng)的性能對AI工作負(fù)載至關(guān)重要？
數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲、訪問與管理策略對企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競爭力會產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來加速創(chuàng)新和增長。然而，AI訓(xùn)練和推理對數(shù)據(jù)管理和存儲提出了獨特的挑戰(zhàn)，因為它們需要處理龐大的數(shù)...
2024-09-11
存儲系統(tǒng) AI 工作負(fù)載
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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貿(mào)澤電子對FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營利機構(gòu)致力于通過機器人實踐項目，推動青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來，貿(mào)澤一直是FIRST的主要...
2024-09-09
貿(mào)澤電子 FIRST 視頻專訪
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