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電路保護(hù)

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來的好處。

2024-12-22

功率器件熱設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體模塊熱擴(kuò)散

準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)

qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓?fù)洳煌琿ZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器（ZSI）拓?fù)溲葑兌鴣淼模试S在一個(gè)階段進(jìn)行升壓和降壓操作。

2024-12-22

逆變器

第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)

三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。

2024-12-22

三菱電機(jī) SiC 芯片技術(shù)

一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級聯(lián)和混合概念

對于需要從高輸入電壓轉(zhuǎn)換到極低輸出電壓的應(yīng)用，有不同的解決方案。一個(gè)有趣的例子是從48 V轉(zhuǎn)換到3.3 V。這樣的規(guī)格不僅在信息技術(shù)市場的服務(wù)器應(yīng)用中很常見，在電信應(yīng)用中同樣常見。

2024-12-22

電壓轉(zhuǎn)換級聯(lián) 混合

運(yùn)算放大器參數(shù)的簡易測量“指南”

運(yùn)算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器，常用于高精度模擬電路，因此必須精確測量其性能。但在開環(huán)測量中，其開環(huán)增益可能高達(dá)107或更高，而拾取、雜散電流或塞貝克（熱電偶）效應(yīng)可能會在放大器輸入端產(chǎn)生非常小的電壓，這樣誤差將難以避免。

2024-12-20

運(yùn)算放大器測量

借助熱插拔控制器，確保系統(tǒng)持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行

在電子產(chǎn)品中，在不中斷系統(tǒng)運(yùn)行的情況下安全地插入和拔出電源模塊的能力至關(guān)重要。眾所周知，熱插拔1已成為從數(shù)據(jù)中心到電信系統(tǒng)等許多應(yīng)用的基本功能。為了確保系統(tǒng)在這些操作期間的安全性和完整性，需要專門的控制器。ADI公司的LTC4287在這類產(chǎn)品中具有明顯優(yōu)勢。本文深入探討了這款熱插拔控制器...

2024-12-16

熱插拔控制器

探究電路里0.1uF和0.01uF電容的共存之謎

旁路電容(Bypass Capacitor)和去耦電容(Decoupling Capacitor)這兩個(gè)概念在電路中是常見的，但是真正理解起來并不容易。

2024-12-16

電路電容

為何混合型交流浪涌保護(hù)器是浪涌保護(hù)首選？

現(xiàn)在的電子設(shè)備無處不在且發(fā)展迅速，其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護(hù)，因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關(guān)動作或類似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會導(dǎo)致過電壓和過電流事件，進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備...

2024-12-16

交流浪涌保護(hù)器浪涌保護(hù)

對比雙電源分立式和集成式儀表放大器

設(shè)計(jì)分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運(yùn)算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...

2024-12-13

雙電源分立式集成式儀表放大器

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