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電路保護

無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。

2024-12-13

無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器交流/直流適配器

如何選擇有效的ESD保護二極管

ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要...

2024-12-12

ESD 保護二極管

第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術(shù)

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。

2024-12-12

三菱電機工業(yè) SiC 芯片技術(shù)

用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動智能的可靠性評估平臺

在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。

2024-12-12

矩陣開關(guān) 熱載流子

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下的各層溫度如下圖，溫度的紋波是由熱容決定的。

2024-12-11

功率器件熱設(shè)計熱等效模型

學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗：調(diào)諧放大器級—第2部分

正如我們在上一組實驗中了解到的，二階LC諧振電路通常用作放大器級中的調(diào)諧元件。如圖1所示，簡單的并聯(lián)LC諧振電路可以產(chǎn)生電壓增益，但需要消耗電流來驅(qū)動阻性負載。緩沖放大器（如射極跟隨器）可以提供所需的電流（或功率）增益來驅(qū)動負載。

2024-12-11

ADALM2000 調(diào)諧放大器

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2024-12-09

功率器件瞬態(tài)熱測量

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

2024-12-06

功率器件熱容

如何利用英飛凌MOTIX embedded power硬件機制標定小電機ECU

英飛凌MOTIX? MCU專為實現(xiàn)一系列電機控制應(yīng)用的機電電機控制解決方案而設(shè)計，在這些應(yīng)用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器，燃油泵，HVAC風(fēng)扇，發(fā)動機冷卻風(fēng)扇，水泵。由于電機量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要對這些小電機進行產(chǎn)線級別標定。以...

2024-12-04

英飛凌 MOTIX 小電機ECU

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