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650V:飛兆半導體IGBT提高功率轉換應用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設計人員應對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
2012-03-29
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IGBT模塊的作用
對IGBT的特性及使用時的注意事項進行了探討，提出了選擇和安裝過程中應該注意的方面。
2012-03-15
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IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對整流器的影響
IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點。使用該類型整流器除了實現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去電網(wǎng)側無功補償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數(shù)控制的方法及CT損壞對整流器的影響。
2012-02-29
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基于EXB841的IGBT驅動與保護電路設計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、快開關損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設計高性能的驅動與保護電路是安全使用IGBT的關鍵技術。
2012-02-21
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逆變H橋IGBT單管驅動+保護詳解
本文給逆變器的后級H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅動電路、電流采集電流和保護機制三個角度，深入了解IGBT的相關特性，發(fā)現(xiàn)采用峰值電流保護的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會炸。
2012-02-07
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大功率變流器系統(tǒng)H橋低感疊層母線排設計
本文從實際出發(fā)，針對80kva/400a變流系統(tǒng)h橋母線排提出一種新的優(yōu)化設計方案，從igbt布局，母排結構設計，緩沖吸收電路選擇等方面全方位保證母排電感參數(shù)達到最優(yōu)，在實際應用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
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AUIR0815S：IR推出超低輸出阻抗車用柵極驅動IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用IC ── AUIR0815S，具備超過10 A 的高輸出電流，能夠驅動逆變器級的大型 IGBT 和 MOSFET，適用于混合動力汽車和電動汽車中的動力系統(tǒng)。
2012-02-02
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UCC27524/UCC27210(1)：TI推出高效率可靠MOSFET驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出3款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器，進一步壯大其MOSFET驅動器產(chǎn)品陣營。UCC27210與UCC27211是業(yè)界首批120 V啟動高低側雙通道輸出MOSFET驅動器，可在解決驅動器輸入-10 V直流電(VDC)抗擾度問題的同時，提供高達4 A的輸出電流。此外，TI還面向二次側同步整流器MOSFET及IGBT電源開關推出了業(yè)界速度最快的5 A雙通道低側驅動器UCC27524。
2012-01-17
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IGBT強驅動電路的設計及電流尖峰抑制方案
根據(jù)脈沖滲碳電源要求，本文設計了一種具有高可靠性、信號傳輸無延遲、驅動能力強等特點的IGBT強驅動電路，詳細分析了工作原理，并對電路測試中出現(xiàn)的電流尖峰進行了抑制。在此基礎上得出幾個主要影響驅動電路的因素。
2012-01-13
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PWM放大器的中頻電源研究
隨著電力電子技術及器件的發(fā)展；特別是功率MOSFET、IGBT、MCT、IPM以及單片集成脈寬調制功率放大器等新型器件的出現(xiàn)；使電壓型SPWM逆變器得到廣泛的關注、開發(fā)和應用。
2012-01-04
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DC/DC電源技術研究
隨著電力電子技術的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術要求為：電壓響應時間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實現(xiàn)4個象限的運行。針對此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅動帶來很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實際電壓只有50V 的情況下，對功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費。因此，提出采用多米諾結構的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術思路。
2011-12-27
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一種緊湊型全橋DC-DC隔離電源設計
新型電力電子器件IGBT作為功率變換器的核心器件，其驅動和保護電路對變換器的可靠運行至關重要。集成驅動是一個具有完整功能的獨立驅動板，具有安裝方便、驅動高效、保護可靠等優(yōu)點，是目前大、中功率IGBT驅動和保護的最佳方式。集成驅動一般包括板上DC-DC隔離電源、PWM信號隔離、功率放大、故障保護等4個功能電路，各功能電路之間互相配合，完成IGBT的驅動及保護。
2011-12-19
- 強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
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