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扶持政策出臺 高壓變頻上游利好
據(jù)悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類產(chǎn)品的價格與質(zhì)量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關注從來沒有放松過。2010年，他們發(fā)現(xiàn)國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。
2010-09-07
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薄膜電容器模組在感應加熱中的應用
感應加熱技術,早期應用在家用電磁爐上.后來隨著高效,節(jié)能及環(huán)保的優(yōu)點越來越顯著,加上產(chǎn)品技術成熟及使用穩(wěn)定,感應加熱技術逐漸開始往工業(yè)領域發(fā)展.隨之設備內(nèi)部的功率元器件(如整流橋,IGBT模塊,薄膜電容器等)要求越來越高,其可靠性及穩(wěn)定性決定了設備的使用安全及壽命.本文介紹薄膜電容器模組在感應加熱中的應用
2010-09-06
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電力電容器: 電動車用緊湊型直流鏈路PCC
PCC可裝于新型測評組合件中，根據(jù)具體功率輸出，反相器模塊可以適合中等混合驅動或全電氣傳動的應用場合。這些模塊是目前僅有的已批量生產(chǎn)的解決方案。該電力電容器的特點是體積填充系數(shù)接近1，由于采用了低電感匯流條，它們特別適合裝于IGBT模塊。該產(chǎn)品的應用可省略復雜的安裝程序以及其他電容器技術所要求的緩沖電容器和對稱電阻。
2010-08-30
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IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具，優(yōu)化電源管理設計
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應用設計，包括馬達驅動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS）、太陽能逆變器和焊接。
2010-08-20
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采用IGBT優(yōu)化軟開關應用中的損耗
IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念降低晶圓n襯底的厚度。本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-08-11
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Avago Technologies強調(diào)新隔離柵驅動中的IGBT保護
Avago Technologies，今日宣布推出2.5A最大輸出驅動ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅動，該產(chǎn)品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和保護免受IGBT跨導和電流“直通”的影響，以便保證電源逆變器和電機控制應用程序安全有效。
2010-07-26
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IR推出新一代高傳導和低開關損耗600V溝道IGBT
IR推出新一代高傳導和低開關損耗600V溝道IGBT。
2010-06-24
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IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-06-18
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汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用
根據(jù)不同車輛設計，逆變器可能放置在汽車尾箱、變速箱內(nèi)或引擎蓋下靠近內(nèi)燃機的位置，因此IGBT模塊要經(jīng)受嚴峻的溫度(-40℃～150℃)和機械條件(振動、沖擊)的考驗。本文為你介紹汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用。
2010-06-13
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重復頻率高壓脈沖電源設計
目前在科學研究、工業(yè)生產(chǎn)、技術改造中得到越來越多的應用。5kV重復頻率高壓脈沖電源主要用于氣體的預電離，在毛細管放電X線激光的研究中，預脈沖放電對氣體預電離被認為是產(chǎn)生X線激光的必要條件。本文利用IGBT做主開關，通過脈沖變壓器升壓的方式來得到高壓脈沖，采用工控計算機和數(shù)據(jù)采集控制卡對整個系統(tǒng)進行控制
2010-06-04
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英飛凌第三代高速600V和1200V IGBT打破開關和效率界限
英飛凌近日推出600V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列，適用于高頻和硬開關應用。它相對于上一代器件，總關斷損耗降低35％，可滿足開關頻率高達100kHz的應用需求。
2010-05-24
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三菱電機推出四個工業(yè)用功率模塊系列產(chǎn)品
三菱電機將攜同最新推出的四個工業(yè)用功率模塊系列產(chǎn)品，包括適合可再生能源設備使用的新型PV-IPM和新型MPD系列；其他工業(yè)使用的V1系列 IPM和第6代NX 系列IGBT模塊，在6月1日至3日于上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展（展位號A13-A14）中亮相，向參觀者介紹面積更小、損耗更低、和容量更大的變頻工業(yè)技術。
2010-05-21
- 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議
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