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STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用 英飛凌擴(kuò)產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計(jì)劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達(dá)到年產(chǎn)近600萬(wàn)塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導(dǎo)體開發(fā)出面積縮小60％的手機(jī)閃光燈用IGBT
三洋半導(dǎo)體開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機(jī)的拍照功能?？赏ㄟ^(guò)IGBT的開關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲(chǔ)的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
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IGBT模塊的并聯(lián)：從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法
IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題是個(gè)關(guān)鍵的問(wèn)題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現(xiàn)在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結(jié)果僅僅表明最高結(jié)溫可能達(dá)到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細(xì)的信息。
2009-02-01
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1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導(dǎo)體
對(duì)于采用先進(jìn)、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應(yīng)用市場(chǎng)而言，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的各種功率半導(dǎo)體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。
2009-01-22
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將IGBT 用于不間斷電源中
本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)注意的問(wèn)題。
2008-12-15
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高性能IGBT提高太陽(yáng)能逆變器效率
飛兆半導(dǎo)體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用，可以幫助設(shè)計(jì)師減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)極高的效率。
2008-11-25
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IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
本文在詳細(xì)分析了IGBT柵極特性的基礎(chǔ)上，對(duì)模塊的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路提出了具體的設(shè)計(jì)方案——IGBT驅(qū)動(dòng)電路必須具備控制電路－柵極的電隔離和提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖的功能，同時(shí)可以采用慢降壓柵技術(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT的過(guò)流保護(hù)電路。
2008-11-05
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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)
本文倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源電路保護(hù)為例，通過(guò)對(duì)負(fù)載短路時(shí)的電路特性的研究，提出了電路參數(shù)的選擇原則，更好的實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)。
2008-11-03
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IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文將大功率開關(guān)器件IGBT應(yīng)用在功率變換電路及直流調(diào)速系統(tǒng)中。闡述了IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求，同時(shí)介紹了EXB841 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并分析了系統(tǒng)的工作原理。
2008-11-02
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
柵極電阻會(huì)影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗，但同時(shí)也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來(lái)的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
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一種新型實(shí)用的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
在分析了IGBT 驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，并給出各自的優(yōu)缺點(diǎn)。介紹自行設(shè)計(jì)的一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型IGBT 驅(qū)動(dòng)電路。經(jīng)實(shí)踐表明，該電路經(jīng)濟(jì)、實(shí)用、安全、可靠，同時(shí)具有IGBT 過(guò)電流保護(hù)功能，具有很好的應(yīng)用前景。
2008-11-02
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
- 貿(mào)澤電子開售Molex的航空航天解決方案
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