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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的使用指南。
2023-07-26
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
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具有更高效率與優(yōu)勢(shì)的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢(shì)與在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開(kāi)關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開(kāi)關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源、牽引電機(jī)控制和感應(yīng)加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
盡管人們對(duì)寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測(cè)，xEV輕型汽車動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬(wàn)增長(zhǎng)到2026年的4310萬(wàn)，這使得其復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場(chǎng)的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場(chǎng)份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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針對(duì)電動(dòng)馬達(dá)控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時(shí)的考慮
針對(duì)所有的應(yīng)用，人們?cè)絹?lái)越注意電動(dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率；因此，對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外，使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用中的能耗；因此，為電動(dòng)馬達(dá)及其的驅(qū)動(dòng)指定高效率的設(shè)計(jì)，以適合每項(xiàng)特定應(yīng)用變得更加重要。
2023-06-28
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EV charger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門(mén)的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。
2023-06-26
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級(jí)。
2023-06-07
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
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滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)輸入。本文將為您介紹柵極驅(qū)動(dòng)電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品系列的功能特性。
2023-06-02
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安森美和上能電氣攜手引領(lǐng)可持續(xù)能源應(yīng)用的發(fā)展
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布上能電氣（Sineng Electric）將在其公用事業(yè)級(jí)太陽(yáng)能逆變器和引領(lǐng)業(yè)界的200 kW 儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模塊（PIM）。兩家公司合作開(kāi)發(fā)的優(yōu)化方案，將最大程度地提高太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能變流器的性能。
2023-05-17
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
- 貿(mào)澤電子開(kāi)售Molex的航空航天解決方案
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