【導(dǎo)讀】智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應(yīng)商獎，彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
2024年12月6日 - 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應(yīng)商獎，彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商，安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術(shù)推動汽車電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個汽車電子細(xì)分領(lǐng)域繼續(xù)推出了業(yè)界領(lǐng)先產(chǎn)品，例如最新一代EliteSiC M3e MOSFET 以獨(dú)特方式降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%，使其成為汽車電氣化應(yīng)用的首選技術(shù)；Hyperlux?系列圖像傳感器可以應(yīng)用于前視、側(cè)視、后視、環(huán)視攝像頭系統(tǒng)，該系列產(chǎn)品擁有2.1μm像素尺寸，領(lǐng)先業(yè)界的150dB超高動態(tài)范圍和減少LED閃爍功能，支持向L2+級自動駕駛的平穩(wěn)過渡，超低功耗、小尺寸助力邁向交通傷亡“零愿景”。
同期獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎的安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊以卓越的功率密度行業(yè)領(lǐng)先，提供比同類產(chǎn)品高10%的輸出功率，應(yīng)用于150千瓦的逆變器中時，QDual3模塊的損耗比同類最接近的競品降低200瓦，從而大大縮減散熱器的尺寸，非常適合用于大功率變流器，例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器。
亞洲金選獎作為工程師信賴的選擇，提供年度榜單，是最佳設(shè)計解決方案的指南。此次安森美再獲其金選車用電子解決方案供應(yīng)商獎，是亞洲汽車行業(yè)對安森美推動汽車電氣化和智能化變革實力的再次認(rèn)可。而第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲獎，體現(xiàn)了安森美在新能源功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，助力客戶實現(xiàn)更高能效的太陽能電池組、工業(yè)電源和儲能系統(tǒng)，響應(yīng)全球?qū)?jié)能減排和可持續(xù)發(fā)展的需求。
關(guān)于安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 納斯達(dá)克股票代號：ON）致力推動顛覆性創(chuàng)新，打造更美好的未來。公司關(guān)注汽車和工業(yè)終端市場的大趨勢，加速推動汽車功能電子化和汽車安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等細(xì)分領(lǐng)域的變革創(chuàng)新。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術(shù)，以解決全球最復(fù)雜的挑戰(zhàn)，引領(lǐng)創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。安森美位列《財富》美國500強(qiáng)，也被納入納斯達(dá)克100指數(shù)和標(biāo)普500指數(shù)。
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