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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管

發(fā)布時(shí)間:2024-12-12 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓,并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過(guò)去幾年中沒(méi)有變化,但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過(guò)去,IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健,并且可以處理更高的電壓,因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。


ESD 波形

在系統(tǒng)級(jí)定義典型 ESD 事件的常用波形是 IEC61000-4-2 波形,其特點(diǎn)是亞納秒上升時(shí)間和高電流水平(見(jiàn)圖 1)。該波形的規(guī)格規(guī)定了 4 個(gè)級(jí)別的 ESD 幅度。大多數(shù)設(shè)計(jì)人員都需要將其產(chǎn)品鑒定為別,即 8kV 接觸放電或 15kV 空氣放電。在元件級(jí)進(jìn)行測(cè)試時(shí),接觸放電測(cè)試是合適的測(cè)試,因?yàn)榭諝夥烹姕y(cè)試在如此小的元件上不可重復(fù)。


如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管


ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓,并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過(guò)去幾年中沒(méi)有變化,但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過(guò)去,IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健,并且可以處理更高的電壓,因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。對(duì)于更新、更靈敏的 IC,當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員不僅必須確保保護(hù)器件能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)標(biāo)準(zhǔn),還要確保器件將 ESD 脈沖鉗位在足夠低的電壓,以確保IC沒(méi)有損壞。在為給定應(yīng)用選擇保護(hù)器件時(shí),設(shè)計(jì)人員必須考慮 ESD 保護(hù)器件將傳入 ESD 事件鉗位到多低。

如何選擇有效的保護(hù)解決方案

保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表上的關(guān)鍵直流規(guī)格是擊穿電壓、漏電流和電容。大多數(shù)數(shù)據(jù)表還將規(guī)定 IEC61000-4-2 的額定值,這表明二極管不會(huì)被指定級(jí)別的 ESD 脈沖損壞。大多數(shù)數(shù)據(jù)表的問(wèn)題在于,它們沒(méi)有任何有關(guān)高頻、高電流瞬變(例如 ESD)的鉗位電壓的信息。與數(shù)據(jù)表中指定的直流電壓相比,在這些類型的瞬態(tài)事件期間,保護(hù)二極管的鉗位電壓要高得多。然而,很難為 IEC61000-4-2 規(guī)范指定鉗位電壓,因?yàn)樗荚诔蔀橄到y(tǒng)級(jí)的通過(guò)/失敗規(guī)范,并且頻率非常高。要將這一規(guī)范應(yīng)用于保護(hù)器件,不僅要檢查保護(hù)二極管是否通過(guò),還要檢查它對(duì) ESD 電壓的鉗位有多低,這一點(diǎn)至關(guān)重要。

比較保護(hù)二極管鉗位電壓的方法是使用示波器截取 ESD 事件期間二極管兩端的實(shí)際電壓波形。這是通過(guò)測(cè)試設(shè)置來(lái)完成的(參見(jiàn)圖 2)。


 如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管


當(dāng)查看暴露于 IEC61000-4-2 的 ESD 保護(hù)器件的電壓波形時(shí),通常會(huì)出現(xiàn)一個(gè)初始電壓尖峰,隨后出現(xiàn)二次峰值,終電壓將趨于平穩(wěn)。初始尖峰是由 IEC61000-4-2 波形的初始電流尖峰和測(cè)試結(jié)構(gòu)中的電感引起的過(guò)沖共同引起的。然而,初始尖峰持續(xù)時(shí)間很短,這限制了傳輸?shù)?IC 的能量。保護(hù)裝置的鉗位性能地顯示在初始過(guò)沖之后的曲線中。二次峰值是主要問(wèn)題,因?yàn)殡妷翰ㄐ纬掷m(xù)時(shí)間較長(zhǎng),從而增加了 IC 所承受的總能量。在下面的研究中,鉗位電壓被定義為次級(jí)峰值的電壓。

基準(zhǔn)研究示例

為了進(jìn)行公平比較,所選部件應(yīng)具有相似的封裝尺寸和數(shù)據(jù)表規(guī)格。本次比較選擇的部件是三個(gè) ESD 保護(hù)二極管,在比較數(shù)據(jù)表中的電氣特性時(shí),這三個(gè)二極管被視為可以直接替代。這些器件均為雙向 ESD 保護(hù)二極管,具有相同的擊穿電壓 (6.8V)、電容 (15pf) 和封裝外形 (1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm)。本研究選擇的產(chǎn)品是 Rohm 的 RSB6.8CS、KEC 的 PG05DBTFC 以及 ON Semiconductor 的 ESD9B5.0ST5G。

當(dāng)比較上述部件的直流性能時(shí),它們看起來(lái)似乎相同(參見(jiàn)下面圖 2 中的曲線軌跡)。此外,它們都聲稱符合 IEC61000-4-2 4 級(jí)標(biāo)準(zhǔn),這意味著它們都能承受高達(dá) 8 kV 接觸電壓的 ESD 沖擊。 ESD 保護(hù)器件確保敏感 IC 保護(hù)的關(guān)鍵性能特征不是直流性能,而是直流性能。然而,雖然設(shè)備能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)很重要,但更重要的是受保護(hù)的 IC 能夠滿足要求。為了確保 IC 在 ESD 事件期間存活,保護(hù)二極管必須將 ESD 電壓鉗位到足夠低的值,以免 IC 損壞。

為了比較每個(gè)器件的鉗位性能,我們將使用示波器截取 ESD 事件期間的電壓波形。我們將進(jìn)行并行測(cè)試,保持所有測(cè)試條件相同。下面的圖 3 顯示了同一圖表上每個(gè)二極管對(duì)正負(fù) ESD 脈沖的響應(yīng)。使用的輸入脈沖是標(biāo)準(zhǔn) IEC61000-4-2 4 級(jí)觸點(diǎn) (8 kV)。


如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管 如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
圖 3. ESD 保護(hù)二極管的電壓鉗位比較(示波器屏幕截圖)


從圖 3 中的屏幕截圖可以明顯看出,當(dāng)應(yīng)用 ESD 的高電流條件時(shí),三個(gè)保護(hù)二極管的性能存在明顯差異。與 KEC 和 Rohm 部件(藍(lán)色波形)相比,安森美半導(dǎo)體保護(hù)解決方案(黑色波形)為 ESD 脈沖提供更低的鉗位電壓。對(duì)于正脈沖,ON Semiconductor 部件鉗位在 14 V,而 KEC 為 18 V,Rohm 為 23 V。在施加負(fù)脈沖期間,三個(gè)器件之間的鉗位電壓差異變得更加明顯。安森美半導(dǎo)體器件的負(fù)脈沖鉗位電壓為 20 V,KEC 器件的負(fù)脈沖鉗位電壓為 34 V,羅姆器件的負(fù)脈沖鉗位電壓為 42 V。在負(fù) ESD 事件期間,這三個(gè)器件之間存在明顯的區(qū)別,其中 KEC 部件的鉗位電壓比 ON Semiconductor 部件高 70%,而 Rohm 部件的鉗位電壓是 ON Semiconductor 部件的兩倍以上。通過(guò) KEC 和 Rohm 產(chǎn)品的負(fù)脈沖總電壓可能對(duì)更容易受到 ESD 損壞的新 IC 設(shè)計(jì)造成潛在危險(xiǎn)。然而,安森美半導(dǎo)體部件在兩個(gè)方向上保持低鉗位電壓,從而限度地降低正負(fù) ESD 脈沖的風(fēng)險(xiǎn)。

良好的保護(hù)器件必須能夠很好地鉗位正負(fù) ESD 脈沖,以保證終產(chǎn)品在實(shí)際條件下具有的可靠性。兩個(gè)方向的低鉗位電壓確保該器件能夠保護(hù)敏感的 IC,從而使設(shè)計(jì)人員能夠利用的 IC 技術(shù)來(lái)突破功能和速度的極限。認(rèn)識(shí)到鉗位電壓在 ESD 保護(hù)器件選擇中的重要性與日俱增,許多保護(hù)公司都在 ESD 保護(hù)器件的數(shù)據(jù)表中提供了 ESD 鉗位屏幕截圖,如圖 3 所示。

 

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